东莞洲磊电子有限公司环境信息公开情况
luxtaltek2019-12-28T11:43:04+08:00一、基础信息 单位名称：东莞洲磊电子有限公司 统一社会信用代码：914419007545179548 法人代表：李威龙 生产地址：东莞市谢岗镇谢岗村新城工业区 联系方式：0769—87631888 主要产品：开发、生产和销售半导体、元器件专用材料（包括磷化稼、磷化铝铟稼、氮化铟稼之发光二极体晶粒） 年产量：134亿颗晶粒 二、排污信息 排污许可证允许排放废水量：6万吨/年 污染物排放量 COD（化学需氧量）4吨/年 氨氮6吨/年 SS（悬浮物）6吨/年 浓度限值 COD（化学需氧量）0—90mg/升 氨氮 0—10mg/升 SS（悬浮物）0—60mg/升 废水排放执行标准：广东省水污染物排放限值（水） （DB-44/26-2001） 总共只有一个排放口 三、防治污染设施的建设和运行情况 防治污染设施与主体工程一起设计建设施工，一起投入使用，运行情况良好
〈產業新聞〉UV LED效能跨步提升，歸功於奈米級AlGaN發光裝置實驗
luxtaltek2019-12-19T14:37:29+08:00〈產業新聞〉UV LED效能跨步提升，歸功於奈米級AlGaN發光裝置實驗 隨著UV LED成熟發展，應用產品也更加廣泛，現有AlGaN發光裝置，取代現有UV氣體雷射和含有有毒物質的UV燈的UV燈源。不過由於裝置中的UV雷射二極體，電壓至少要25伏特才能操作，加上電洞注入層效率不佳，導致串聯電阻高，導致性能受限。其中原因和AlGaN鋁層的P型半導體塗層以及缺少有效的散熱管道等有關。 奈米級AlGaN和原先AlGaN磊晶薄膜層相比，由於表面積對體積比高，形成有效的應力鬆弛，能直接在包括金屬等基質上延展。金屬和以矽或藍寶石包覆的金屬基質，能在高電流操作過程，提供更好的散熱管道。另外，奈米級P型半導體因為加入了鎂，活化能需求低，因此電阻也相對較小。經過研究團隊(KAUST)實驗證實，GRINSCH二極體在電子和光學表現上出色，所需電壓和串聯電阻也比原先的二極體要低。 #UV LED #LED #LED Chip
<產業新聞>研究發現，提高LED的效率，靠的就是它!?
luxtaltek2019-12-06T14:54:00+08:00研究發現，提高LED的效率，靠的就是它!? 長年以來，鋁鎵氮（AlGaN）深紫外LED已經常見在日常生活中，並廣泛的應用在殺菌消毒、水淨化、光療等領域。日本東北大學（Tohoku University）對於鋁鎵氮（AlGaN）又更深的研究，並希望可以了解LED的結構如何影響其效率。 研究開始，研究員在非常小的偏一度角藍寶石襯底上生長一層氮化鋁。接著，在氮化鋁層上生長含有矽雜質的鋁鎵氮覆層。三個鋁鎵氮量子阱在上面進行生長。量子阱非常薄，可將亞原子粒子（電子和空穴）限制在垂直於層表面的維度，但不限制這些粒子在其它維度運動。最後，由氮化鋁和含有鎂雜質的鋁鎵氮所形成的電子阻擋層覆蓋頂部的量子阱。研究員由此製造出基於鋁鎵氮的LED。 這項微觀研究顯示，階梯結構在底部的氮化鎵層和鋁鎵氮層之間形成。這些階梯結構影響其上方量子阱層的形狀，而底部的階梯結構與它們在量子阱層中引起的微小扭曲連接起來則形成富鎵條紋狀結構，這些條紋結構就成為鋁鎵氮覆層中電流的微通道。研究員表示，微通道與量子阱層內電子和空穴的強烈運動似乎提高了LED將電能轉換為光能的效率。 目前，這項研究發現已發表在《應用物理學快報》（Applied Physics Letters）雜誌上。 （參考來源：LEDinside）
